碳化硅技術的硬核玩家，英飛凌用“芯”新能源時代
作者：admin 發布日期：2019/4/26 關注次數：
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大同碳化硅銷售公司獲悉：近日，英飛凌碳化硅應用技術發展暨光伏與儲能分在春意盎然的上海收官。此次盛會高朋滿座，英飛凌工業功率控制事業部的管理團隊和技術專家與碳化硅產、學、研界的大咖，以及共創系統的合作伙伴齊聚一堂，共話碳化硅技術的發展前景、應用之道，并肩展望未來新能源發展趨勢。
以“Cool芯英華綻放”為主題，英飛凌科技總監Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術布局”發表主旨演講，為整個大會拉開了序幕。來自英飛凌、臺達電力、中國科學院電工研究所、伊頓電氣、德國萊茵TüV集團、IHS Markit的多位專家也出席了，并做了精彩報告。
在中國產業革新的浪潮下，新興工業、能源產業迅猛發展，技術也不斷更新迭代，這要求功率器件具有更加好的性能表現。而碳化硅功率器件憑借高頻、高功率密度等優勢，將迎來爆發期，廣泛應用于各個領域。在快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、新能源汽車領域、軌道交通等行業，碳化硅器件的市場規模將迅速擴大，有望占據未來的科技制高點。
作為全球的半導體企業，英飛凌與時俱進、開拓創新，推出了先進的碳化硅技術和完整的解決方案，將在以下應用領域為中國企業和合作伙伴助力：
·太陽能領域：碳化硅技術可以在提率的同時，減小系統的體積和重量；
·電動汽車充電領域：可以實現高速充電，簡化電路，減少損耗；
·電機領域：SiC MOSFET可以降低損耗及噪音，可望減少一半的逆變器體積及重量；
·新能源汽車領域：SiC MOSFET將成為主要的技術，將會在新能源汽車的各個部分都能得到應用。
各位專家還詳細探討了碳化硅技術的優勢，深入剖析了碳化硅技術帶給市場的機遇與挑戰，并就碳化硅市場的現狀與前景分享了自己的獨到見解。
亮點一：碳化硅駕到，帶給市場的是機遇還是挑戰？
SiC給市場帶來的機遇遠遠大于挑戰，SiC器件具有高壓、高頻的優勢，但是SiC領域的人士往往對SiC器件是“又愛又恨”，一方面SiC在縮小了體積同時提高了效率，一方面在SiC在應用技術方面又有很高的要求，為了把短路保護，解決噪聲問題和散熱問題，這幾年我們在不斷的提升技術。無論是器件的研發還是系統的應用，SiC仍面臨著很多技術門檻，我們會在這方面與SiC元器件廠商共同努力進步。
——臺達電力電子研發執行主任潘琪女士
亮點二：英飛凌在SiC領域的市場定位，SiC對英飛凌的重要性
SiC是英飛凌硅化領域中的核心產品，英飛凌在SiC產品的研發和生產方面做出了很多的努力。就生產而言，雖說在SiC原材料供應方面，晶圓的生產周期和產能是一個挑戰，但是英飛凌現有的冷切割技術，推動晶圓的產能得到大幅提升應用。培養SiC技術領域人才方面，英飛凌不斷擴充技術團隊，希望把Si器件方面的生產能力、產能規模能延續到SiC，生產出高質量、可靠的SiC產品，進一步鞏固和提升我們的市場地位：為業界提供可靠的SiC產品與服務！
英飛凌和國內的很多企業都有關于SiC的探討，在以下行業更是有著成熟的合作：快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、車載電源、軌道交通。我認為SiC能在某個行業對其效率有提升，比如：提高能效方面和減少重量與體積方面，它一定會對這個領域有著作用。但是SiC器件也不是萬金油，在接下來的很長一段時間，Si與SiC器件都會長期并存，共同發展。
——英飛凌科技大中華區副總裁工業功率控制事業部負責人于代輝先生
亮點三：SiC和Si是一脈相承還是相去？
可以從SiC與Si器件的原理方面進行分析，就結構來講，Si與SiC材料之間主要的差別是他們承受的電場能力不同，彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現在所做的事情和Si之前所涉的技術大致相同，所以在原理方面是有借鑒之處的。
——浙江大學電氣工程學院盛況
亮點四：如何實現合理的SiC定位？
SiC的問題是一直很嚴峻，客戶永遠希望越低越好。作為一個新興技術，SiC也有新興技術所存在的普遍問題：產量小、穩定度不夠、價高。雖然大家都希望SiC技術可以普及，但是從新興技術發展到通用技術這個過程往往是十分漫長的。IGBT，從1990年至今，一共發展了30年，走過了7代的技術，從晶圓來講走過了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，從芯片的厚度從300降到了60μm，終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術也同樣需要時間來進行技術上的打磨，從而降低成本。
——英飛凌工業功率控制事業部總監馬國偉博士
亮點五：現代電力系統的特點
電力電子技術使電能在發生、輸送、分配、利用及存儲等環節都處于可控狀態，可顯著提高電能變換系統的兼容性，在現代電力系統或電網中獲得了廣泛應用。
——中國科學院電工研究所李子欣博士
亮點六：供電網絡的變化及發展趨勢
隨著新半導體技術的出現，我們可能將電力電子的工作模式發生比較大的變化。通過這種變化，更利于通過不間斷電源對電網和負載的各種問題做主動性的預防。
——伊頓電氣研發總監鄭大為先生
多年來，晶圓走過了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發展歷程，芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm，半導體技術的日新月異不僅造就了先進的碳化硅器件，還有更加滿足特定行業需求的芯片，模塊拓撲和封裝。
為了進一步搭建行業交流的全新平臺，此次碳化硅應用技術發展還設置了光伏與儲能分。會上不僅有業界分析咨詢公司解讀光儲市場的未來走向，還有認證機構詳解光儲產品設計規范和認證，更有英飛凌的技術專家深入淺出地為參會者介紹光伏產品解決方案，現場互動頻頻、驚喜不斷，掀起了一場半導體業的技術交流熱潮。
以“Cool芯英華綻放”為主題，英飛凌科技總監Peter Friedrichs圍繞“英飛凌碳化硅的技術布局”發表主旨演講，為整個大會拉開了序幕。來自英飛凌、臺達電力、中國科學院電工研究所、伊頓電氣、德國萊茵TüV集團、IHS Markit的多位專家也出席了，并做了精彩報告。
在中國產業革新的浪潮下，新興工業、能源產業迅猛發展，技術也不斷更新迭代，這要求功率器件具有更加好的性能表現。而碳化硅功率器件憑借高頻、高功率密度等優勢，將迎來爆發期，廣泛應用于各個領域。在快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、新能源汽車領域、軌道交通等行業，碳化硅器件的市場規模將迅速擴大，有望占據未來的科技制高點。
作為全球的半導體企業，英飛凌與時俱進、開拓創新，推出了先進的碳化硅技術和完整的解決方案，將在以下應用領域為中國企業和合作伙伴助力：
·太陽能領域：碳化硅技術可以在提率的同時，減小系統的體積和重量；
·電動汽車充電領域：可以實現高速充電，簡化電路，減少損耗；
·電機領域：SiC MOSFET可以降低損耗及噪音，可望減少一半的逆變器體積及重量；
·新能源汽車領域：SiC MOSFET將成為主要的技術，將會在新能源汽車的各個部分都能得到應用。
各位專家還詳細探討了碳化硅技術的優勢，深入剖析了碳化硅技術帶給市場的機遇與挑戰，并就碳化硅市場的現狀與前景分享了自己的獨到見解。
亮點一：碳化硅駕到，帶給市場的是機遇還是挑戰？
SiC給市場帶來的機遇遠遠大于挑戰，SiC器件具有高壓、高頻的優勢，但是SiC領域的人士往往對SiC器件是“又愛又恨”，一方面SiC在縮小了體積同時提高了效率，一方面在SiC在應用技術方面又有很高的要求，為了把短路保護，解決噪聲問題和散熱問題，這幾年我們在不斷的提升技術。無論是器件的研發還是系統的應用，SiC仍面臨著很多技術門檻，我們會在這方面與SiC元器件廠商共同努力進步。
——臺達電力電子研發執行主任潘琪女士
亮點二：英飛凌在SiC領域的市場定位，SiC對英飛凌的重要性
SiC是英飛凌硅化領域中的核心產品，英飛凌在SiC產品的研發和生產方面做出了很多的努力。就生產而言，雖說在SiC原材料供應方面，晶圓的生產周期和產能是一個挑戰，但是英飛凌現有的冷切割技術，推動晶圓的產能得到大幅提升應用。培養SiC技術領域人才方面，英飛凌不斷擴充技術團隊，希望把Si器件方面的生產能力、產能規模能延續到SiC，生產出高質量、可靠的SiC產品，進一步鞏固和提升我們的市場地位：為業界提供可靠的SiC產品與服務！
英飛凌和國內的很多企業都有關于SiC的探討，在以下行業更是有著成熟的合作：快速充電樁、太陽能逆變器、中大功率的UPS、車載電源、軌道交通。我認為SiC能在某個行業對其效率有提升，比如：提高能效方面和減少重量與體積方面，它一定會對這個領域有著作用。但是SiC器件也不是萬金油，在接下來的很長一段時間，Si與SiC器件都會長期并存，共同發展。
——英飛凌科技大中華區副總裁工業功率控制事業部負責人于代輝先生
亮點三：SiC和Si是一脈相承還是相去？
可以從SiC與Si器件的原理方面進行分析，就結構來講，Si與SiC材料之間主要的差別是他們承受的電場能力不同，彼此之間差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之間是可以有借鑒之處的。SiC器件現在所做的事情和Si之前所涉的技術大致相同，所以在原理方面是有借鑒之處的。
——浙江大學電氣工程學院盛況
亮點四：如何實現合理的SiC定位？
SiC的問題是一直很嚴峻，客戶永遠希望越低越好。作為一個新興技術，SiC也有新興技術所存在的普遍問題：產量小、穩定度不夠、價高。雖然大家都希望SiC技術可以普及，但是從新興技術發展到通用技術這個過程往往是十分漫長的。IGBT，從1990年至今，一共發展了30年，走過了7代的技術，從晶圓來講走過了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，從芯片的厚度從300降到了60μm，終成本降到了原先的五分之一。所以SIC技術也同樣需要時間來進行技術上的打磨，從而降低成本。
——英飛凌工業功率控制事業部總監馬國偉博士
亮點五：現代電力系統的特點
電力電子技術使電能在發生、輸送、分配、利用及存儲等環節都處于可控狀態，可顯著提高電能變換系統的兼容性，在現代電力系統或電網中獲得了廣泛應用。
——中國科學院電工研究所李子欣博士
亮點六：供電網絡的變化及發展趨勢
隨著新半導體技術的出現，我們可能將電力電子的工作模式發生比較大的變化。通過這種變化，更利于通過不間斷電源對電網和負載的各種問題做主動性的預防。
——伊頓電氣研發總監鄭大為先生
多年來，晶圓走過了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的發展歷程，芯片的厚度也從300μm一路超薄化為60μm，半導體技術的日新月異不僅造就了先進的碳化硅器件，還有更加滿足特定行業需求的芯片，模塊拓撲和封裝。
為了進一步搭建行業交流的全新平臺，此次碳化硅應用技術發展還設置了光伏與儲能分。會上不僅有業界分析咨詢公司解讀光儲市場的未來走向，還有認證機構詳解光儲產品設計規范和認證，更有英飛凌的技術專家深入淺出地為參會者介紹光伏產品解決方案，現場互動頻頻、驚喜不斷，掀起了一場半導體業的技術交流熱潮。
百尺竿頭，更進一步。歷經一載春華秋實，英飛凌碳化硅應用技術發展已在中國生根發芽，結出了累累碩果。未來，英飛凌將繼續矢志創“芯”，碳化硅產業的發展，并與合作伙伴攜手共筑新能源領域的美好未來。
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